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用于微电子行业的 VNX55-Ultra膜堆

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大流量膜堆，为微电子行业生产高纯度水而设计

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大流量膜堆，为微电子行业生产高纯度水而设计
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Description

VNX55-Ultra大流量膜堆采用成熟的Ionpure® 连续电去离子(CEDI)技术设计，可以生产超高纯度的水。专为满足微电子行业对污染物去除而不断发展的需求进行了性能优化。膜堆经优化后，可通过单级 EDI 达到产水硼含量 ppt 级的水平。

单台VNX55-Ultra工业膜堆的名义产水流量为12.5 m3/h (55 gpm)

通过并联多台 VNX55-ULTRA 膜堆可以实现简化的系统设计，使产水流量达到甚至超过 228 m3/h  (1,000 gpm)。

特点和优点

特点

  • 保证 18 MΩ-cm 的产水电阻率，为微电子和超纯水 (UPW) 系统而优化
  • 硅和硼的去除率 ≥ 99.8%
  • 钠离子和氯离子的去除率 ≥ 99.9%
  • 95-97.5% 的回收率，节水量高
  • Through-port 垫片密封，无泄漏
  • 大流量膜堆降低了系统成本，简化了机架设计
  • 膜堆附带有连接件
  • 膜堆上配有用于直流电源连接的接线盒
  • 可选配 50 mm 对焊天然聚丙烯 (PP) 连接件及图纸

优点

  • 不需要酸/碱、中和系统或更换树脂罐
  • 与传统的离子交换相比，可大幅降低运行成本

Specs

Flow Rate, Maximum: m³/hr
  • 15
Flow Rate, Minimum: m³/hr
  • 9.5
Flow Rate, Minimum: gpm
  • 42
Flow Rate, Maximum: gpm
  • 66
Operating Temperature, Minimum: °F
  • 68
Operating Temperature, Maximum: °F
  • 113
Operating Temperature, Minimum: °C
  • 20
Operating Temperature, Maximum: °C
  • 45

Documentation